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[发明专利]相变存储器结构-CN201811233728.3在审
发明人：吴昭谊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种相变存储器结构，其包含：底部电极；第一相变材料，其接触所述底部电极的顶面；第一开关，其位于所述第一相变材料上方；第二相变材料，其位于所述第一开关上方；及顶部电极，其位于所述第二相变材料上方
相变材料相变存储器结构底部电极第一开关顶部电极顶面

[发明专利]相变存储器结构-CN200880109055.9有效
发明人： R·穆拉利德哈;T·P·麦钱特;R·A·劳 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2008-08-08 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：相变存储器单元(1311)具有第一电极、加热器(1505)、相变材料、以及第二电极。加热器(1505)在第一电极之上，并且加热器包括柱。相变材料(1701)在加热器周围。第二电极被电耦合到相变材料。第一层包括由加热器材料和相变材料组成的组之一。可以使用纳米簇(1411)限定图案来蚀刻第一层以便从第一层形成柱。
相变存储器结构

[发明专利]集成的肖特基二极管相变存储器装置-CN202180080719.9在审
发明人： T·M·菲利普;K·布里;L·克莱文格 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：一种非易失性存储器结构可以包括相变存储器，该相变存储器包括相变材料。所述非易失性存储器结构可以包括与相变存储器串联的肖特基二极管，其中肖特基二极管的肖特基势垒是相变存储器的表面。这可以通过适当选择用于相变存储器的接触的材料来实现。这可以产生集成二极管‑存储器结构，其可以控制电流的方向性而不会对结构的占用面积造成不利影响。
集成肖特基二极管相变存储器装置

[发明专利]相变存储器及其制作方法-CN202210252105.0在审
发明人：李松;刘峻;杨海波;彭文林;刘广宇 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种相变存储器及相变存储器的制造方法，所述相变存储器包括：相变存储单元；所述相变存储单元至少包括相变存储层；隔热结构；所述隔热结构至少部分覆盖所述相变存储层的侧壁，且所述隔热结构用于减缓所述相变存储层的散热；修复层；所述修复层至少位于所述隔热结构与所述相变存储单元之间，且所述修复层用于修复所述隔热结构和所述相变存储单元之间的结构缺陷。
相变存储器及其制作方法

[发明专利]一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法-CN201010101396.0有效
发明人：蔡道林;宋志棠;陈后鹏;陈小刚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法，该方法包括以下步骤：步骤一，根据相变存储器单元的结构建立电压、电流、温度、时间和相变存储器单元相变区半径的关系模型；步骤二，对相变存储器单元进行Set操作，获取Set操作的电压-电流曲线；步骤三，通过所述Set操作的电压-电流曲线获取所述关系模型的中间参数，得出相变存储器单元相变区半径。本发明通过对相变区半径的获得确定相变的范围，为相变存储器单元的疲劳特性研究提供支持，同时也为相变存储器单元的保持特性研究提供一种手段。
一种获得相变存储器单元半径系统方法

[发明专利]相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法-CN201810304264.4有效
发明人：卢瑶瑶;蔡道林;陈一峰;闫帅;宋志棠;吴磊;刘源广;李阳 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法，包括：若干条平行间隔排布的字线；若干条平行间隔排布的位线；相变存储器阵列；驱动电路，与各位线相连接；至少一测试结构，包括驱动电路、可变电阻器、可变电容器及第二相变存储器单元；其中，可变电阻器与可变电容器串联成的串联电路一端与驱动电路相连接，另一端与第二相变存储器单元相连接；第二相变存储器单元的结构与第一相变存储器单元的结构相同。本发明可以简单便捷地得到相变存储器阵列中的位线寄生参数，为相变存储器阵列中的各相变存储器单元均能够被充分操作弥补能量损耗提供依据，为得到比较一致的电阻分布，提高相变存储器芯片的工作可靠性提供基础。
相变存储器阵列中的寄生参数测量系统方法

[发明专利]相变存储器、存储器单元的隔离结构以及制造方法-CN200910195629.5有效
发明人：万旭东;吴关平;严博;张超;徐佳 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种相变存储器、存储器单元的隔离结构以及制造方法，其中相变存储器包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的字线；与字线连接的相变存储器单元；隔离沟槽，邻接并隔离所述字线；隔离晶体管，邻接并隔离同一字线上相邻相变存储器单元本发明使用常关的场效应晶体管作为相变存储器中同一字线上相邻存储器单元的单元隔离，并在场效应晶体管的栅极施加反向偏置电压，相比现有的双沟槽隔离结构，更有效地消除了相邻存储器单元之间的漏电流，且结构简单、工艺更易于实现
相变存储器单元隔离结构以及制造方法

[发明专利]相变存储器及相变存储器的制作方法-CN202111060772.0在审
发明人：吴小飞 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本公开提供一种相变存储器及相变存储器的制作方法，相变存储器包括衬底；堆叠结构，堆叠结构设置于衬底；加热层，被设置为堆叠结构的一部分；相变层，设置于堆叠结构内；导电层，设置于相变层内，相变层包覆导电层，导电层沿堆叠结构的厚度方向延伸；导电层与加热层之间存在电流通路，相变层与加热层相连的区域产生相变。在本公开中的导电层沿堆叠结构的厚度方向延伸，相变层包覆导电层，增大了相变层与加热层在垂直方向上的连接区域，提升了相变层的利用率，提高了相变存储器的存储密度。
相变存储器制作方法

[发明专利]集成有选择元件的相变存储器及其制造方法-CN201980033781.5在审
发明人：宋润洽;郑在景 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：公开了一种相变存储器，为了减轻现有的OTS的问题和缺点，所述相变存储器包括由于消除了对中间电极的需要而具有改善的密度的选择元件，并且公开了一种包括该选择元件的相变存储器元件，该相变存储器元件具有高度密集的三维架构该相变存储器元件具有包括P型相变材料层和N型金属氧化物层的PN二极管结构。此外，该相变存储器元件包括半导体材料层，该半导体材料层借助于电极界面的肖特基二极管性质而切换到相变材料层。
集成选择元件相变存储器及其制造方法

[发明专利]一种相变存储器的阵列结构及其制备方法-CN200910247551.7无效
发明人：吴东平;张世理 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种相变存储器的阵列结构及其制备方法。该相变存储器的阵列结构利用竖直p-n结二极管作为相变存储单元的陈列器件，并用金属硅化物埋层作为连接连续多个竖直p-n结二极管阵列器件的埋层字线。该相变存储器的阵列结构可以降低埋层字线的电阻率、提高相变存储器的集成度以及提高相变存储器的存取速度，而且，该金属硅化物埋层的形成工艺简单，并与通常的集成电路工艺兼容。
一种相变存储器阵列结构及其制备方法

[发明专利]一种高密度相变存储器电路结构及其制备方法-CN201210461713.9无效
发明人：蔡道林;陈后鹏;王倩;王兆敏;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种高密度相变存储器电路结构及其制备方法，所述相变存储器结构包括选通管及n个相变电阻，所述选通管的源端接地，栅端接字线WL；所述n个相变电阻并列排布，各该相变电阻的一端共同连接在所述选通管的漏端，各该相变电阻的另一端分别连接各自的位线，其中n为整数，n≧2。本发明能够在不改变选通管尺寸的前提下，通过改变相变存储单元及其版图结构，提高相变存储器的密度，获得高密度相变存储器。
一种高密度相变存储器电路结构及其制备方法

[发明专利]一种相变存储器单元及相变存储器-CN202111480788.7在审
发明人：马平 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本申请涉及相变存储器技术领域，公开了一种相变存储器单元及相变存储器。其中，相变存储器单元包括底电极层、加热电极结构、相变材料结构和顶电极层；底电极层、加热电极结构、相变材料结构和顶电极层从下至上依次层叠设置；加热电极结构包括第一加热电极和至少一个第二加热电极；其中，至少一个第二加热电极围绕第一加热电极设置基于上述技术方案，可以在第一加热电极外围形成次级加热中心，有效降低相变材料结构中的相变区域与其周围区域之间的温度梯度，能够有效避免相变区域与其周围区域的连接处发生分相而到导致擦除过程失效的情况发生，进而提高相变存储器的寿命
一种相变存储器单元

[发明专利]一种相变阻变多层结构存储器及其制备方法-CN201110154094.4无效
发明人：林殷茵;田晓鹏 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-06-09 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属半导体存储器技术领域，涉及一种相变阻变多层结构存储器及其制备方法。本存储器中，在上电极和下电极之间设相变材料和阻变材料存储介质层。所述存储介质层为阻变材料和相变材料双层叠层或相变材料、阻变材料、相变材料三层叠层结构。本发明的相变阻变多层结构存储器为一种工艺简便、成本低廉、可有效提高器件的均匀性和稳定性，及明显降低写操作电流的存储器，所述相变材料和阻变材料叠层结构与单层阻变材料相比，电场更容易集中在相变材料的多晶低阻区域，器件的稳定性和均匀性更好，可有效提高器件可靠性，同时由于采用多层结构，阻态也较单层结构高，降低功耗。
一种相变多层结构存储器及其制备方法

[发明专利]一种相变存储器的操作方法、相变存储器及存储器系统-CN202210672725.X在审
发明人：周光乐;杨海波;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种相变存储器的操作方法、相变存储器及存储器系统。其中，所述操作方法包括：在对所述多个相变存储器单元中选中的相变存储器单元执行读取操作后，对所述选中的相变存储器单元执行弱写入操作，其中，所述弱写入操作用于使所述选中的相变存储器单元的相变材料层中受读取干扰影响转变至非晶相的区域恢复至晶相，从而提升相变存储器的寿命。
一种相变存储器操作方法系统

[发明专利]一种相变材料、该相变材料制成的相变存储器及制备方法-CN201410682337.5有效
发明人：王青;刘波;夏洋洋;张中华;宋三年;宋志棠;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变材料，其组分通式为CrxSbyTe1的化合物，其中，元素的原子比满足0<x<1，2.0≤y≤3.5。本发明还提供一种包括所述相变材料的相变存储器以及所述相变存储器的制备方法。本发明提供的Cr‑Sb‑Te基硫系化合物相变材料，在外部能量的作用下，实现高电阻态与低电阻态之间的可逆转变；其作为相变存储器的存储介质时，相变存储单元不仅具有相变速度快、写操作电流低等优点，而且器件的高温数据保持力及可靠性都得到了提高本发明针对相变存储器的存储原理和特点，还设计提出了基于新型相变存储材料CrxSbyTe1的相变存储器器件单元结构，使包含CrxSbyTe1相变材料的相变存储器具有高速、低功耗、良好数据保持力等优越性。
一种相变材料制成存储器制备方法

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